Gönderi tarihi: 3 Ekim , 2011 13 yıl Admin USB belleklerde devrim - Ferroelektrik Transistörlü Rastgele Erişimli Hafıza Nanoteknolojinin nimetlerinden yararlanan yeni flash bellekler, bugünküleri unutturacak kadar güçlü! Tekstilden bilişime kadar kullanılan nanoteknoloji, her alanda hayata olumlu katkı yaparak yeni teknolojilerin ya da gelişmelerin önünü açıyor. Bu teknolojiden yararlanan son ürün flash bellekler oldu. Nanoteknolojinin kullanıldığı flash belleklerde sadece daha hızlı okuma/yazma oranları alınmadı, ayrıca elektrik tüketimi de yüzde 99 oranına kadar azaldı. İngilizce açılımı ferroelectric transistor random access memory olan, Türkçeye Ferroelektrik Transistörlü Rastgele Erişimli Hafıza diye çevrilebilecek FeTRAM'ler yakın gelecekte hayatımıza büyük katkı sağlayacaklar. Organik Ferroelektrik polimer ile Silikon Nano-bağlantıyı birleştiren bu yeni teknoloji, Purdue Üniversitesi'nde geliştiriliyor. Bu araştırmanın temel amacı, düşük enerji tüketen, uzun ömürlü, veri yazma/okumaortamı oluşturmak. Zira normal şartlarda belleklerin çok sık kullanıldığı, giderek daha yüksek kapasiteye sahip belleğe ihtiyaç duyulduğu bilgilerinden yola çıkan araştırmacılar, ısınma ve kapasite sorunu gibi çözümleri son kullanıcıda pek olmayan durumları azaltmaya ve engellemeye çalışıyorlar. Üniversiteden görevliler, basına yaptıkları tanıtımda, sunulan demonun çalıştığını ancak "ticari" bir ürünün henüz yakın zaman için planlanmadığını belirttiler. Kaynak: Hürriyet
Katılın Görüşlerinizi Paylaşın
Şu anda misafir olarak gönderiyorsunuz. Hesabınız varsa, hesabınızla gönderi paylaşmak için ŞİMDİ OTURUM AÇIN.
Eğer üye değilseniz hemen KAYIT OLUN.
Not: İletiniz gönderilmeden önce bir Moderatör kontrolünden geçirilecektir.